Apple อาจเปลี่ยนหน่วยความจำ iPhone 6 เป็นแบบเดิม หลังผู้ใช้บางคนพบปัญหา Bootloop

มีผู้ใช้หลายคนรายงานว่า iPhone 6 และ 6 Plus พบปัญหาเครื่องแครช เกิดอาการบูทเครื่องวน ซึ่งมีการคาดการณ์ว่า เกิดจากปัญหา Flash Memory ตัวใหม่ที่ Apple ใช้

iphone-6-and-6-plus-4

โดยเว็บไซต์ BusinessKorea ได้เผยว่า Apple อาจเปลี่ยนหน่วยความจำในเครื่อง  iPhone 6 และ 6 Plus ในรุ่น 64GB  และ 128 GB จากแบบ TLC (triple-level cell) NAND flash เป็นแบบเก่าที่เคยใช้คือ MLC (multi-level cell) NAND flash

โดยสาเหตุของการปรับเปลี่ยนครั้งนี้ น่าจะเกิดมาจากที่ มีผู้ใช้รายงานถึงปัญหาการบูทเครื่องวน ซึ่งแหล่งข่าวคาดการณ์ว่า เกิดจากการที่หน่วยความจำแบบใหม่ที่ทำมามีปัญหา โดยที่ในอนาคต ไม่แน่ใจว่าการอัพเดตซอฟต์แวร์ iOS รุ่นใหม่ จะแก้ปัญหาได้หรือไม่

โดย TLC NAND flash ที่นำมาใช้ใน iPhone รุ่นล่าสุดนี้ มีคุณสมบัติคือ สามารถเก็บข้อมูลได้ 3 บิทต่อ 1 เซลล์ จึงมีความคุ้มค่ากว่า MLC NAND flash ที่เก็บข้อมูลได้ 2 บิทต่อ 1 เซลล์ แต่ก็จะอ่านเขียนได้ช้ากว่า MLC NAND flash ด้วย

ที่มา macrumors

Facebook Comments