Qualcomm เตรียมผลิตชิป Snapdragon 845 ในขนาด 7 นาโนเมตร เริ่มใช้กลางปี 2018

เผยชื่อ Snapdragon 845 ชิป SoC ตัวท็อปรุ่นใหม่จาก Qualcomm มาพร้อมกระบวนการผลิตขนาด 7 นาโนเมตร คาดมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 25-35% เริ่มใช้บนสมาร์ทโฟนช่วงกลางปี 2018 หรือปีหน้า

ต่อไป 7 นาโนเมตร ในขณะที่ Snapdragon 350 เพิ่งถูกใช้ไม่นาน ล่าสุดก็มีรายงานว่า Qualcomm เตรียมผลิต Snapdragon 845 ชิป SoC บนสมาร์ทโฟนระดับเรือธงตัวถัดไป และจะมาพร้อมกระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตรด้วย จากเดิม 10 นาโนเมตร

และผู้ที่ได้ผลิตชิปดังกล่าวคือ TSMC (ผู้ผลิตชิปรายหลักของ Apple) จะเป็นผลิตชิปขนาด 7 นาโนเมตร ให้กับทาง Qualcomm ในรุ่น Snapdragon 845 คาดจะมีประสิทธิภาพมากกว่า Snapdragon 835 ที่มีขนาด 10 นาโนเมตร ถึง 25-35% กันเลย

ท้ายนี้ตัวชิป Snapdragon 845 ยังอยู่ในขั้นทดลองผลิต ซึ่งน่าจะเปิดให้ใช้บนสมาร์ทโฟน ในช่วงกลางปี 2018 หรือปีหน้าเลย โดยรุ่นที่จะได้ชิมลางก่อนเครื่องแรก ก็ไม่พ้น Samsung Galaxy S9 นั้นเองครับ

ที่มา : Androidheadlines

Facebook Comments